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参数目录39217
> BTS282Z E3180A MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
型号:
BTS282Z E3180A
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BTS282Z E3180A PDF
标准包装
1,000
系列
TEMPFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
49V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
6.5 毫欧 @ 36A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 240µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
232nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4800pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
供应商设备封装
PG-TO220-7-180
包装
带卷 (TR)
其它名称
BTS282Z-E3180A
BTS282ZE3180AINTR
BTS282ZE3180ANT
BTS282ZE3180AT
BTS282ZE3180AT-ND
BTS282ZE3180ATINTR
BTS282ZE3180ATINTR-ND
SP000012360
SP000399014
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